場效應開關管好壞如何測試？

朋友堂我不知道你是否有同樣的感覺，但我認為它很難區分場效應管。這里我介紹一種簡單的測量方法和一種判斷場效應開關管好壞的方法:將萬用表的電阻量程設置為R×1k，用黑色觸針接D極，用紅色觸針接S極，用手同時觸摸G極和D極，場效應開關管應處于瞬時導通狀態，即手要擺動到電阻較小的位置；用手再摸一下G極和S極，場效應開關管應該沒有反應，也就是指針在零位不會動；此時可以判斷場效應開關管是好管。判斷場效應開關管極性的方法如下:將萬用表的阻值范圍設置為R×1k，分別測量三個管腳之間的電阻。如果一個管腳和另外兩個管腳之間的電阻是無窮大，換了探頭之后還是無窮大，那么這個管腳就是G極，另外兩個管腳就是S極和D極；

然后用萬用表測量一次S極和D極之間的電阻，交換兩根探針后再測量一次，其中黑色探針接S極，紅色探針接D極。

哪些電器場效應管最多？

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場效應管做開關壓降是多少？

場效應晶體管的導通電壓VTN通常約為2V。場效應晶體管:場效應晶體管(FET)是場效應晶體管的簡稱。

主要有兩種(結型FET——JFET)和金屬氧化物半導體FET(簡稱MOS-FET)。

多數載流子傳導也稱為單極晶體管。屬于壓控半導體器件。具有高輸入電阻(107~1015ω)、低噪聲、低功耗、大動態范圍、易集成、無二次擊穿現象、安全工作區寬等優點，成為雙極晶體管和功率晶體管的有力競爭者。場效應晶體管(FET)是一種通過控制輸入回路的電場效應來控制輸出回路電流的半導體器件，因此而得名。

工作原理:一句話，場效應晶體管的工作原理是"在漏極和源極之間流動的溝道的ID，用于由柵極和溝道之間的pn結形成的反向偏置柵極電壓控制"。

更準確地說，ID流過的溝道的寬度，即溝道的橫截面積，是由pn結反向偏置的變化來控制的，導致耗盡層的膨脹變化。在VGS0的非飽和區，過渡層的膨脹不是很大，而根根據施加在漏極和源極之間的VDS電場，源區中的一些電子被漏極拉走，即電流ID從漏極流向源極。

從柵極延伸到漏極的過渡層將一部分溝道形成為阻擋型，ID飽和。這種狀態稱為夾斷。這意味著過渡層阻擋了一部分通道，但電流沒有被切斷。